第246章 如果有這一半的速度，再加上這質量
第246章 如果有這一半的速度，再加上這質量…
到晚上十點半左右，陳舟把張一凡送出了房間。
張一凡得抓緊時間趕回學校了，據他所說，他們的宿管阿姨簡直不要太凶。
如果被鎖在門外，寫檢討都是輕的。
搞不好還要被通報批評呢。
見他說的這麼嚴重，陳舟自然也不敢耽誤他的時間。
只是他很奇怪，宿管阿姨不都是和藹可親的嗎？
要是晚歸，不都是趕緊讓你進來，生怕耽誤你休息的嗎？
幫張一凡喊了輛計程車，看著他上車，陳舟才再次回到房間。
一回去，就看到沈靖打了個哈欠。
陳舟不禁笑了笑，今天起得其實挺早的，而且在高鐵上並沒有補覺，這會這個點，確實有點犯困了。
「學長，先回去休息吧，明天四十三所的實驗也要正式開始了。」
「沒事，我再整理兩篇。」沈靖說完，又打了個哈欠。
他是真的有點困了，如果按照一天的活動時間來算的話，那他已經連續近16個小時沒有休息了。
「好啦，這事不急在一時，明天再弄。」陳舟說著過去幫沈靖關了電腦，督促他趕緊去睡覺。
沈靖看了陳舟一眼，把東西收拾好，朝自己房間走去。
臨出門時，他突然停下腳步，轉頭問陳舟：「你該不會熬夜看文獻吧？」
陳舟輕聲笑道：「不至於，我再看一會就睡了。」
沈靖將信將疑的離開了，但回到房間后他覺得不對，這小子的一會到底是個什麼概念呢？
想了一會，沈靖把電腦重新打開了。
工作，具有專註力的工作，將抵消那股疲憊的困意！
給自己打了個氣，沈靖便開始繼續了。
陳舟這邊，等沈靖離開后，便坐回桌子前，繼續看文獻。
還剩兩個，直流電弧等離子噴射CVD法和微波等離子體CVD法。
直流電弧等離子噴射CVD法，也叫DAPCVD法。
這是一种放電區內隱的直流電弧等離子體沉積法。
這種方法的優點就是，有極快的沉積速度。
是極快，不是一般的快！
在上世紀90年代的時候，就有實驗室利用陰陽極呈直角的反應器實現了930m/h的高速生長。
這可是930m/h，不是930μm/h！
而且，就算是930μm/h，那也是遠高於現在四十三所製備金剛石薄膜的40μm/h的。
更不要說930m/h了。
相比之下，一個的速度就是火箭，另一個則是自行車。
或許連自行車都算不上。
也是因為這種告訴生長的速率，這種方法一度成為熱點方法。
製備工藝的話，也並不複雜。
主要就是在桿狀陰極和環形陽極之間施加直流電壓，當氣體通過時引發電弧，加熱氣體，高溫膨脹的氣體從陽極嘴高速噴出，形成等離子體射流。
引弧的氣體通常是氬氣，等形成等離子體射流后，通入反應氣體甲烷和氫氣，甲烷和氫氣被離化，並達到水冷沉積台的襯底，在襯底上成核、生長金剛石薄膜。
而且這種方法製備金剛石薄膜，不禁速度快，而且質量高，還無電磁污染。
但是，由於噴射等離子體的速度場合溫度場不均勻，使其沉積範圍內膜厚不均，會呈梯形分佈。
在沉積速度過快時，膜的表面不平整，就會大大降低膜的緻密度。
看到這，陳舟古怪的笑了笑：「看來，太快了也不好……」
但是整體來說，這種方法還是很有研究潛力的。
陳舟在草稿紙上做著記錄，並把自己的想法記在一旁。
把DAPCVD法的相關文獻看完后，陳舟右手滑動滑鼠，點開了一個新的PDF文件。
最後一個製備方法。
微波等離子體CVD法，也就是MPCVD法。
是四十三所所採用的的方法。
也是陳舟查這麼文獻的目的。
和DAPCVD法被報道的時間，僅相隔一年。
這也是目前用於沉積金剛石薄膜最為廣泛的方法。
這種方法最先是通過一種軸向的天線耦合器，將2~5W的矩形微波進行導轉換，在大氣壓下形成等離子體。
而高壓等離子體就會由耦合器的「針孔」處噴射到水冷的樣品台上，繼而形成金剛石薄膜。
和DAPCVD法使用的氣源相同，主要是氬氣，反應氣體是甲烷和氫氣。
現如今，這種方法已經形成了多種形式。
不過不管是按真空室的形成來分的石英管式、石英鐘罩式和帶有微波窗的金屬腔體式，還是按微波與等離子體的耦合方式來分的表面波耦合式、直接耦合式和天線耦合式。
它們的沉積速率，都是和微波功率有關的。
舉個例子，用5kW微波功率的MPCVD法，可以以10μm/h的速率沉積工具級金剛石薄膜，以8μm/h的速率沉積熱沉級金剛石薄膜，以3μm/h 的速率沉積光學級金剛石薄膜。
而用10kW微波功率的時候，他的沉積速率可以達到25μm/h。
也就是說，通過增大微波功率，可以提高金剛石薄膜的沉積速率。
除此之外，金剛石薄膜的沉積速率還和氣體壓力有關。
在高微波功率，高的甲烷與氫氣體積流量比，160Torr氣體壓力下，可以製備出150μm/h的多晶金剛石薄膜。
如果在同等條件下，將壓力提高至310Torr下，可以製備出165μm/h的單晶金剛石薄膜。
「氣體壓力……」
「微波功率……」
陳舟在草稿紙上寫下這兩個辭彙。
拿筆點了兩下，隨手便劃了兩個圈。
這是重點。
放下筆，陳舟滑動滑鼠，繼續看文獻的內容。
MPCVD法之所以會成為最廣泛的方法，是因為這種方法比DAPCVD法製備的金剛石薄膜質量更好。
很好的解決了膜的緻密度不高的問題同時，還可以產生大體積的金剛石薄膜。
此外，這種方法還能在曲面或者複雜表面上進行金剛石薄膜的沉積。
而且MPCVD法無內部電極，可以避免電極放電污染和電極腐蝕。
可以說是滿足了製備高質量金剛石薄膜的條件。
但是，就像四十三所實驗室的裝置一樣，MPCVD法的沉積速率是硬傷。
看完了這篇詳細介紹MPCVD法的文獻后，陳舟不禁想到。
「如果有DAPCVD法一半的速度，再加上MPCVD法的製備質量，那這事不就成了嗎？」
各位書友，今天晚上十點半才到家，在加班，各位諒解一下，晚點還有一更，可以明天看，晚安。